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用于半导体的 Helios™ G4 PFIB CXe DualBeam™
Thermo Scientific™
用于半导体的 Helios™ G4 PFIB CXe DualBeam™
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HELIOSG4PFIBCXEEL
技术支持
客户服务
Thermo Scientific™
用于半导体的 Helios™ G4 PFIB CXe DualBeam™
货号:
HELIOSG4PFIBCXEEL
技术支持
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Helios G4 PFIB CXe DualBeam 系统使您能够:
使用具有高电流 UC+ 单色器技术的一流 Elstar™ SEM 电子镜筒,可获得纳米级 SEM 图像分辨率和表面灵敏度,从而显示较为细致的细节信息。
使用新一代 2.5 微安 氙等离子体 FIB (PFIB 2.0) 镜筒,可进行较高通量和质量相关 3D 表征、横向切片和微加工。
由于 PFIB 2.0 镜筒在所有操作条件下均具有优越的性能且有 TEM 样品制备工作流程的指导,因此可制备高质量的无 Ga+ TEM 样品。
使用自动摇摆研磨机,可实现高产率、无屏障大面积横向切片制备并获得高质量 TEM 片晶。
由于高度灵活的 110 mm 载物台和可选配的仓内 NavCam,可根据个体应用需求对您的样品定制精确的导航。
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HELIOSG4PFIBCXEEL
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价格(CNY)
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完整规格
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Thermo Scientific™ Helios™ G4 PFIB CXe DualBeam™ 系统提供独特的功能,除广泛的其他大面积 FIB 处理应用外,还能够实现 3D 封装的高级故障分析和半导体器件的无损伤延迟。
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