电性失效分析系统

制程微缩、新材料和更复杂的结构正在提高缺陷率，尤其是在对工艺变异特别敏感的电路设计中。 这些非可视缺陷会表现为电性故障，降低器件性能、威胁可靠性并损害良率。 当故障发生在器件封装阶段时，问题变得更加复杂。 高密度互连、晶圆级堆叠、柔性电子以及一体化基板使致故障缺陷有更多隐藏空间，导致表征比以往更困难且更为关键。

我们最新的下一代产品专注于面向失效分析与工艺控制的先进分析能力。 这些解决方案旨在通过提升 3D NAND、逻辑器件、DRAM、模拟器件和显示器件制造过程中的质量控制水平和良率，帮助提高半导体晶圆厂和实验室的生产效率。