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重新定义光刻工艺控制
光刻中使用的光刻胶对电子束照射高度敏感，常在扫描电子显微镜 (SEM) 成像过程中产生局部收缩并降低结构完整性。
这给精确检查与控制光刻工艺带来了重大挑战，尤其是在 22 nm 及以下设计节点的结构中。
在 1 keV、16 pA 条件下，光刻胶结构在用于观察的局部区域开始收缩。
Thermo Scientific Verios 5 XHR 扫描电镜通过在低加速电压下实现亚纳米分辨率，从而来应对这一挑战，最大限度减少电子束损伤，同时保持高图像保真度。
通过极低电压成像、束流减速和最少的样品制备， Verios 5 XHR扫描电镜可提供涂覆与未涂覆光刻胶的清晰细节图像，便于检查例如表面细节、基脚（footing）以及光刻胶线侧壁的粗糙度。 这不仅确保高分辨率和高放大倍率的成像结果，还能实现无损伤成像。
（左）在 500 V 下，在倾斜图像中的景深使得可以检查光刻胶线条侧壁的底脚和粗糙度。 （右）未镀膜光刻胶在 2 mm 工作距离下可获得几乎无荷电的图像，同时可清晰观察截面并获得非常丰富的表面信息， 未见束流损伤。
仅供研究使用。不得用于诊断程序。