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由于对复杂结构的高质量、快速分析和成像的需求日益增加，高级（扫描）透射电子显微镜 (S)TEM 已成为所有前沿晶片制造工作流程的必要部分。半导体设计师需要提供出色的灵活性和稳定性以及高分辨率成像的分析工具，以便正确分析和优化器件性能。 (S)TEM 表征可使生产商校准工具集、诊断故障机制并优化总体工艺良率。
除了成像外，还可对 (S)TEM 仪器使用一系列对半导体器件表征至关重要的技术，包括：用于晶体定向映射或应变分析的电子衍射、用于定性或定量成分分析的能量散射 X 射线谱 (EDS) 和用于成分和化学信息的电子能量损失谱 (EELS)。此外，还有电子全息术、断层成像、劳仑兹成像和（集成）差分相衬 (iDPC/DPC) 成像等高级成像技术可用，现已在半导体实验室常规使用。
由于高分辨率成像和高分析性能的良好结合，Thermo Fisher Scientific 在半导体器件的计量、分析和寻路的 TEM 工作流程方面处于世界领导地位。单击至以下相应产品页面，了解更多信息。
TEM 成像和分析工作流程示例
FinFET 器件的高角环形暗场 (HAADF) STEM 图像（左）、环形明场 (ABF) STEM 图像（中）和 iDPC 图像（右）。
使用透射电子显微镜成像并使用能量色散 X 射线光谱进行映射的 FinFET 器件。
可以利用衍射系列检测器件横截面中的应变分布。在本示例中，收集并分析 1,620 份衍射图以生成沿 (110) 方向显示的插入应变图。
FinFET 器件的高角环形暗场 (HAADF) STEM 图像（左）、环形明场 (ABF) STEM 图像（中）和 iDPC 图像（右）。
使用透射电子显微镜成像并使用能量色散 X 射线光谱进行映射的 FinFET 器件。
可以利用衍射系列检测器件横截面中的应变分布。在本示例中，收集并分析 1,620 份衍射图以生成沿 (110) 方向显示的插入应变图。
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